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中国科学家开发出新材料 可大幅提高电子存储速度

2019-07-12 09:24:39 来源:待王云涛网 作者:网站编辑 阅读:943次

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作为新型相变材料,钪与碲的化学键稳定,在非晶体到多晶体转化过程中,形成稳定的“八面体”基元,并迅速“成核”生长为多晶体,使存储功耗降低,存储速度提升。

2016年12月,加方完成了归还的法律手续,同时完成归还法律手续的还有一件2009年查扣的2.2亿年前的中国鱼龙化石和一件2.5亿年前的中国三叠纪鱼骨化石。

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中新网2月12日电据中国驻英国大使馆网站消息,近期,中国驻英国使馆在工作中发现,部分已加入外籍并持有中国签证的申请人,涉嫌骗取中国护照。大使馆已遵照中国有关法律和政策规定进行处理。

相变存储器是一种非易失存储器,可通过脉冲电流让存储材料在晶体和非晶体间转换,以实现读、写、擦操作。由于改变的是材料的物理状态,断电后信息不会消失,有效解决了市场常用的动态随机存储器(DRAM)因断电导致数据丢失的缺点。

扬州地处长江与京杭大运河交汇处,是首批国家历史文化名城。保护好包括埋藏丰富的地下文物在内的城市文化遗产,是《中华人民共和国文物保护法》规定的地方政府的应尽义务。基本建设考古工作是确保城市地下文物安全和城市建设发展的重要措施。

相关成果由中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队取得。宋志棠等人利用含钪、锑、碲的合金材料制造出相变存储器单元(PCRAM),这一新材料的写入速度可达700皮秒(一皮秒相当于一万亿分之一秒)。

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宋志棠接受新华社记者采访时说:“团队下一步准备将这种材料用于自主开发的64兆、128兆存储芯片上,验证其大容量、高速应用的可行性,这有望大幅提高缓存速度,为中国自主开发先进存储器铺平道路。”

新华社北京11月10日电(记者周舟)中国科学家在最新一期美国《科学》杂志上发表报告说,已开发出一种新型相变材料,有望将电子产品的存储速度提高约70倍左右。

目前可商用的相变存储器多使用锗、锑、碲合金材料,其写入速度极限约为50纳秒左右(1纳秒等于1000皮秒)。

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